ULSI相关论文
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
The study is about the ULSI mosaic ......
IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面......
A signal processing method for the friction-based endpoint detection system of a chemical mechanical polishing(CMP) proc......
本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。......
对ULSI制备中铈(Ce)在Si02介质的CMP中的应用及对Ce胶体抛光液的制备进行了较为深入的实验研究,并对提高抛光效果进行了大量实验.......
基于新型的折叠电流镜负载PMOS差分输入级拓扑、轨至轨(Rail-to-Rail)AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术和Caden......
化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing, 简称 CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术, 在超精密表面加工领域得到了大量研......
常温下硅纳米晶构成的MOSFET存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在ULSI中有重要的应用前景.它是当前UL......
综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺，简要......
论述了IC产业链中包括的主要技术,例如芯片设计、芯片制造、芯片封装新技术和支撑条件等,并讨论了这些新技术及其产品的研发、应用......
集成电路(IC)技术的快速发展对金属互连技术提出了更高的要求.传统的Al金属互连技术已经不能满足现代互连技术发展的需要,大马士革......
作者对当前ULSI多层布线中金属铜的CMP技术作了系统的介绍，对抛光机理、多层布线中铜图案成型技术、浆料目前的种类及成分和表面完......
在分析硅衬底的抛光机理的基础上,主要讨论了抛光液对硅衬底抛光质量的影响,同时对抛光液中各成分的选择作了分析研究,采用不含钠......
随着芯片集成规模的不断扩大,芯片的散热分析及优化显得越来越重要,也越来越棘手。本文对于现下芯片热分析的各种方法及当前研究现......
集成电路（IC）的快速发展对ULSI布线系统提出了更高的要求。本文通过对ULSI互连布线系统的分析,在介绍了ULSI新型布线系统的同时,尝试......
本文提出用185nm紫外线降低高纯水中总有机碳(TOC)的能量传递光化学模型.计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能......
本文基于超大规模集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次下的金属互连(interconnects)特性,研究并提出了布局布线优化步骤:局部布局......
论述了超大规模集成电路与高纯水的关系以及对水质的要求，研究了高纯水制备的几个关键新技术及提高高纯水质量的方法，该方法能有效地......
以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(Cu-CMP)为研究对象,针对Cu-CMP中存在的抛光......
经过对传统化学机械抛光技术的研究与分析,指出了目前ULSI制造中使用的传统化学机械抛光技术的缺点,通过对固结磨料化学机械抛光中......
Fluorinated amorphous hydrogenated a-C:F:H carbon thin films were deposited using radio frequency plasma enhanced chemic......
随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展，互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的......
通过分析影响双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS......
针对超大规模集成电路多层互连结构中介质CMP抛光速率低,急需的大粒径硅溶胶研磨料,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质CMP用......
甚大规模集成电路(ULSI)对衬底硅片表面洁净度的要求越来越高.抑制颗粒在衬底表面的沉积,应使衬底表面与颗粒表面必须具有相同的ξ......
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜(a-C:F)的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导......
详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅(SiOF)介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的FTIR光谱，发现薄膜中大部分的氟以Si—F键形式存在。C-V......
介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺.对抛光机理、影响抛光速率和抛光质量的因素、抛光液中的成份特别是精抛......
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而......
在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级UL......
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及......
详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型......
在微电子学的发展历程中,集成电路(IC)的发明是最具里程碑意义的创新之一.几十年来,IC始终保持着空前的增长率.目前超大规模集成电......
扫描探针显微镜(SPM)是80年代发展起来的一种具有超高空间分辨率的显微技术.扫描探针显微镜功能强大,在表面科学、生命科学、微电......
IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面......
以硝酸铁为氧化剂选用不同缓蚀剂对铜化学机械抛光用抛光液的缓蚀效果进行了研究．通过测试不同缓蚀剂作用下铜的电化学极化曲线，来获......
在分析ULSI中硅衬底CMP的动力学过程基础上，提出了在机械研磨去除产物过程中，适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程，从而提......
提出了在碱性浆料中ULSI多层布线导体铜化学机械抛光的模型，对铜CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度......
对ULSI中多层金属铜布线的CMP(化学机械抛光)进行了理论分析,介绍了Cu-CMP模型与机理及其动力学过程,抛光液的种类及其存在的问题,......
随着CMOS技术缩至100nm或更小,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战.......
在0.18 μm下,时序收敛的关键是互连线延时问题.文章介绍了一种时序快速收敛的RTL到GDSII的设计方法,该方法有效地消除了逻辑综合......
<正> 硅材料是应用最广泛的集成电路的关键基础材料,由于半导师体器件不断向高集成度、高性能、低成本与系统化方向发展,特别是随......
分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特......
介绍了氧化门厚度在８～２０ｎｍ范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是，当氧化门厚度减小到４ｎｍ以下时，这种超薄氧化门比起厚一些的氧......
应用基于有限元算法的软件ANSYS对0.15μm工艺条件下的一个ULSI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析。模拟了这个经多目......
功耗估计是数字VLSI设计中需要重点考虑的因数。由于芯片管腿数的增加，通过穷举仿真获得电路平均功耗的方法也越来越不现实。文中将......
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对集成电路制作过程中的全局平坦化提出了更高的要求.ULSI多层布线CM......
